Современная микроэлектроника характеризуется непрерывной тенденцией к миниатюризации и повышению плотности упаковки компонентов, что предъявляет повышенные требования к надежности межсоединений и контактов. Одной из ключевых проблем, ограничивающих долговечность электронных устройств, является деградация межсоединений и контактных площадок при воздействии электротепловых нагрузок. Наиболее ярко это проявляется при импульсном нагреве. Резкие изменения температуры приводят к возникновению механических напряжений, что в конечном итоге является причиной усталостного разрушения и отказа устройства. Целью работы является экспериментальное изучение динамики нагрева дорожки металлизации при прохождении через неепоследовательности прямоугольных токовых. В работе использовались экспериментальные методы определения динамики температуры алюминиевой дорожки металлизации после прохождения через нее как одиночных, так и последовательностей прямоугольных токовых импульсов. Полученные результаты целесообразно применять для определения критических мощностей электрических импульсов для различных межсоединений, а также при построении экспресс-методик по диагностики систем металлизации и контактов полупроводниковых структур.

Modern microelectronics is characterized by a continuous trend towards miniaturization and increasing the density of component packaging, which places increased demands on the reliability of interconnects and contacts. One of the keyproblems limiting the durability of electronic devices is the degradation of interconnects and contact pads when exposed to electrical thermal loads. This is most pronounced during pulsed heating. Sudden temperature changes lead to mechanical stresses, which ultimately causes fatigue failure and device failure. The aim of the work is to experimentally study the dynamics of heating of a metallization track when a sequence of rectangular current flows through it. Experimental methods were used to determine the temperature dynamics of an aluminum metallization track after passing through itboth single and sequences of rectangular current pulses. It is advisable to use the results obtained to determine the critical power of electrical pulses for various interconnects, aswell as to build express diagnostic methods for metallization systems and contacts of semiconductor structures.